ソフトバンクとインテル、富岳NEXTに新メモリー 「磁界結合」でHBM超え

日経XTECH / 5/7/2026

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Key Points

  • 「富岳NEXT」(2030年ごろ稼働予定)で、GPU/CPUと連係するメモリーに新機軸として次世代メモリーの採用を検討している点が示された
  • ソフトバンクとIntel(インテル)が主導し、チップを立ててつなぐ「磁界結合」方式などにより、HBM超えを狙う新型メモリーの開発が進む
  • 理化学研究所は「HBMは熱の問題で限界に近づく」という見立てのもと、より大容量・低消費電力・低コストを実現できるメモリーを有望視している
  • 理研などが共同開発する量産目標2029年の新型メモリー「ZAM(Z-Angle Memory)」が、要求仕様を満たせば富岳NEXTへの採用を前向きに検討する方針
  • 経済産業省がZAM開発を支援し、AIメモリー需給が逼迫する中で日本における将来のメモリー確保の試金石になると位置づけられている

この記事の3つのポイント

  1. 「富岳NEXT」はGPUやCPUと連係動作するメモリーでも新機軸
  2. ソフトバンクとインテルが主導し、チップを立て「磁界結合」でつなぐ新メモリー開発
  3. 需給が逼迫するAIメモリーを確保する上で日本の試金石に

 2030年ごろに稼働するスーパーコンピューター「富岳NEXT」では、メモリーでも新機軸を打ち出す。GPU(画像処理半導体)やCPU(中央演算処理装置)との連係に向けて、HBM(広帯域メモリー)よりも大容量で低消費電力、低コストを狙える新型メモリーの採用を検討する。ソフトバンクと米Intel(インテル)が開発を主導し、日本にとっては将来にわたるAI(人工知能)メモリー確保の試金石となる。

富岳NEXTは搭載するメモリーについても新機軸を打ち出す(出所:日経クロステック、左の写真は陶山 勉)
富岳NEXTは搭載するメモリーについても新機軸を打ち出す(出所:日経クロステック、左の写真は陶山 勉)
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 「HBMは2030年ごろ、熱の問題で限界に近づく。次世代を担うメモリーを実現する」。ソフトバンク子会社として2024年12月に創業した半導体メモリー設計会社、SAIMEMORY(サイメモリ、東京・港)社長の山口秀哉氏は力を込める。

 富岳NEXTでは、エヌビディアのGPUや富士通のCPUと連係動作するメモリーに「先端技術を採用した積層型メモリー」(理化学研究所)を使う。理研が有望視するのが、サイメモリとインテルが2029年の量産を目指し共同開発する新型メモリー「ZAM」(Z-Angle Memory、ザム)だ。理研などはZAMが要求仕様を満たせば、富岳NEXTへの採用を前向きに検討する。経済産業省もZAMの開発を支援する。

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チップを立てて放熱しやすく

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