次世代メモリーの開発競争が激化している。中国・長鑫存儲技術（CXMT）が3D DRAMの構造を転用し、ほぼ不揮発性を目指した3D FeRAM技術を発表。韓国SK hynix（SKハイニックス）は5ビット/セルの多値化に挑戦し、3D NANDの密度向上を実現した。キオクシアは酸化物半導体IGZOを用いた3D DRAMを提案し、性能とコストの両立を追求した。
半導体メモリーに関して多くの研究発表があり盛況だった。メモリーの研究開発の方向性を示す3次元（3D）構造のメモリー技術を中国CXMTや韓国SKハイニックス、キオクシアなどが発表した。
メモリー分野の論文投稿数は筆者調べで134件と、2024年のIEDMと比べて30件近く増えた。採択率は約27％と、30％を下回る極めて狭き門だった。
メモリー分野のサブコミッティー（分科会）では、Call for Paper（論文募集）に「Memories（such as HBM）For AI」の文言が追加された。人工知能（AI）向けに需要が拡大しているHBM（広帯域メモリー）への関心の高さがうかがえる。サブコミッティーの9割以上は産業界のメンバーで構成されるが、今回は日本からのメンバーが入らなかった。2026年以降に期待したい。
筆者の分類では強誘電体メモリー（FeRAMやFeFET）に関する採択論文が10件を超え、採択件数の多い順に以下、NAND型フラッシュメモリー、DRAM、MRAM（磁気抵抗メモリー）、PCRAM（相変化メモリー）、ReRAM（抵抗変化型メモリー）と続く。
強誘電体メモリーはNANDへの応用であるFeNANDなどのデバイス技術に加え、材料物性や評価技術など幅広い技術が取り上げられた。NANDは主流技術である3D積層型（3D NAND）に関する論文の発表が相次いだ。DRAMのセッションは全論文が酸化物半導体を使う次世代DRAMに関するものであり、酸化物半導体への期待の高さがうかがえた（図1）。
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