ラピダス、ハイブリッド接合の弱点に挑む 異物に強い半導体チップ接合
日経XTECH / 2026/6/19
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要点
- ラピダスが、AI半導体の高性能化に向けた「ハイブリッド接合」の実装技術を開発し、チップ間接続の課題に挑んだ。
- 異物混入による接続不良を抑えることで、3μmピッチ級の高密度なチップ間接続を実現する方針だ。
- 接合面の清浄度や平たん度への要求を緩和し、製造時の制約を下げて歩留まり向上につなげる。
- 接合技術の信頼性・生産性改善が、高性能AI半導体の実装面でのボトルネック解消に寄与する可能性がある。
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