ラピダス、ハイブリッド接合の弱点に挑む 異物に強い半導体チップ接合
日経XTECH / 2026/6/19
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要点
- ラピダスはAI半導体の高性能化に向け、チップ間接続となる「ハイブリッド接合」の実装技術を開発した。
- 接合工程での異物混入による接続不良を抑制し、3µmピッチ級の高密度接続を実現することを目指す。
- 接合面の清浄度・平たん度に対する要求を緩和し、製造歩留まりの向上につなげる方針だ。
- 半導体の微細化・高密度化を進める上で、接合品質のばらつきがボトルネックになり得る点に直接対処している。
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