SiCウエハーは12インチ時代へ、パワー半導体以外の用途も

　パワー半導体などに用いられる炭化ケイ素（SiC）ウエハーは直径が12インチ（300mm）時代に突入しつつある。東京ビッグサイトで開催された展示会「第40回 ネプコン ジャパン」（2026年1月21〜23日）において、複数の中国メーカーが日本の代理店を通じて12インチのSiCウエハーを出展した。

現状では1枚数百万円

　そのうちの1社が、中国・浙江晶盛機電（JSG）だ（図1）。

図1　マルエム商会のブースに出展されたJSGの12インチSiCウエハー（左奥と右）。左奥はN型、右は光学用（写真：日経クロステック）

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　JSGは、薄い緑色に見え、主に電子が伝導する「N型」と、透明の「光学用」の12インチSiCウエハーをそれぞれ出展した。代理店のマルエム商会（名古屋市）は、「今は1枚数百万円する」という。

　N型はパワー半導体向けの他に、高い熱伝導率を生かしたAI（人工知能）半導体の放熱基板といった用途が想定されている。

　SiCは結晶のタイプや純度にもよるが、熱伝導率が400〜500W/（m・K）で、サファイア（Al₂O₃）基板よりもはるかに高く、セラミック材料の中ではトップクラス（図2）。金属で最も熱伝導率が高い銀（Ag）と同程度か、それ以上にもなる。

図2　マルエム商会のブースに出展されたJSGの8インチSiCインゴット。これを薄く切断後、研磨してウエハーにする（写真：日経クロステック）

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　マルエム商会は、「日本のSiC半導体メーカーに出荷する際は、（SiCウエハー上にさらに高品質なSiCの薄膜を形成した）エピウエハーの形にする」という。エピウエハーの作製は、中国・広東天域半導体（天域TYSiC）が担っているというが、12インチSiCウエハーに関してはまだ量産段階ではないようだ。

　一方、透明な光学用は、ドーピングをしない半絶縁型とも呼び、AR（拡張現実）グラスの導光板や、AI半導体のインターポーザー（中間基板）などの用途を想定する。これらも、高い熱伝導性が重要な特性になっている。