ラピダス、ハイブリッド接合の弱点に挑む 異物に強い半導体チップ接合
日経XTECH / 2026/6/20
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要点
- ラピダスはAI半導体の高性能化に向け、ハイブリッド接合によるチップ間接続技術を開発したと報じられた。
- 接合時の異物混入による接続不良を抑えることで、3μmピッチ級の高密度接続を実現することを目標としている。
- 接合面の清浄度や平たん度などの要求を緩和し、歩留まり向上につなげる狙いが示された。
- ECTC 2026の場で実装技術の新たな取り組みとして発表された点が強調されている。
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